A high-voltage transistor with a low specific on-state resistance and that
supports high voltage in the off-state includes one or more source regions
disposed adjacent to a multi-layered extended drain structure which
comprises extended drift regions separated from field plate members by one
or more dielectric layers. With the field plate members at the lowest
circuit potential, the transistor supports high voltages applied to the
drain in the off-state. The layered structure may be fabricated in a
variety of orientations. A MOSFET structure may be incorporated into the
device adjacent to the source region, or, alternatively, the MOSFET
structure may be omitted to produce a high-voltage transistor structure
having a stand-alone drift region.
Un transistore ad alta tensione con una resistenza specifica bassa di on-dichiarare e quel supporti ad alta tensione nel off-dichiarare include una o più regioni di fonte disposte di adiacente ad una struttura estesa multi-layered dello scolo che contiene le regioni estese della direzione separate dai membri della piastra del campo da uno o più strati dielettrici. Con i membri della piastra del campo al potenziale del circuito più basso, il transistore sostiene le alte tensioni applicate allo scolo nel off-dichiarare. La struttura fatta uno strato di può essere fabbricata in una varietà di orientamenti. Una struttura del MOSFET può essere compresa nel dispositivo adiacente alla regione di fonte, o, alternativamente, la struttura del MOSFET può essere omessa per produrre una struttura ad alta tensione del transistore che ha una regione autonoma della direzione.
