A semiconductor device comprises a first transistor having a composite gate
structure containing a lamination of a first polycrystalline silicon film,
an interlayer insulating film, and a second polycrystalline silicon film;
and a second transistor having a single gate structure containing a
lamination of a third polycrystalline silicon film and a fourth
polycrystalline silicon film, wherein the first polycrystalline silicon
film and the third polycrystalline silicon film have substantially the
same thickness; the first polycrystalline silicon film and the third
polycrystalline silicon film have different impurity concentrations
controlled independently of each other; the second polycrystalline silicon
film and the fourth polycrystalline silicon film have substantially the
same thickness, and the second polycrystalline silicon film, the fourth
polycrystalline silicon film, and the third polycrystalline silicon film
have substantially the same impurity concentration. Also, a method for
manufacturing the above-described semiconductor device is described.
Um dispositivo de semicondutor compreende um primeiro transistor que tem uma estrutura composta da porta conter uma laminação de uma primeira película polycrystalline do silicone, de uma película isolando do interlayer, e de uma segunda película polycrystalline do silicone; e um segundo transistor que tem uma única estrutura da porta conter uma laminação de uma terceira película polycrystalline do silicone e de uma quarta película polycrystalline do silicone, wherein a primeira película polycrystalline do silicone e a terceira película polycrystalline do silicone têm substancialmente a mesma espessura; a primeira película polycrystalline do silicone e a terceira película polycrystalline do silicone têm as concentrações de impureza diferentes controladas independentemente de se; a segunda película polycrystalline do silicone e a quarta película polycrystalline do silicone têm substancialmente a mesma espessura, e a segunda película polycrystalline do silicone, a quarta película polycrystalline do silicone, e a terceira película polycrystalline do silicone têm substancialmente a mesma concentração de impureza. Também, um método para manufaturar o dispositivo de semicondutor above-described é descrito.
