A field-effect semiconductor element implemented with a fewer number of
elements and a reduced area and capable of storing data by itself without
need for cooling at a cryogenic temperature, and a memory device employing
the same. Gate-channel capacitance is set so small that whether or not a
trap captures one electron or hole can definitely and distinctively be
detected in terms of changes of a current of the semiconductor FET
element. By detecting a change in a threshold voltage of the semiconductor
element brought about by trapping of electron or hole in the trap, data
storage can be realized at a room temperature.
Элемент полупроводника field-effect снабженный с немногим номером элементов и уменьшенной области и способный хранить данные собой без потребности для охлаждать на криогенной температуре, и приспособление памяти используя эти же. емкость Строб-kanala установлена настолько малой что захватывает ли или не ловушка один электрон или отверстие смогите определенно и своеобразнейше быть обнаружено in terms of изменения течения элемента fet полупроводника. Путем обнаруживать изменение в напряжении тока порога элемента полупроводника принесенного около запутыванием электрона или отверстием в ловушке, хранений данных можно осуществить на температуре комнаты.
