A method of depositing indium oxide or indium tin oxide thin film on a
polymer substrate is disclosed. In the method, oxygen or argon ion beam is
radiated on a polymer substrate by a constant accelerating energy in a
vacuum state to modify the surface of the polymer substrate, on which an
IO thin film or an ITO thin film is deposited while oxygen ion beam, argon
ion beam or their mixture ion beam is being radiated in a vacuum state. In
addition, ion beam is generated from a cold cathode ion source by using
argon, oxygen or their mixture gas and sputtered at a target substance
composed of In.sub.2 O.sub.3 or In.sub.2 O.sub.3 and SnO.sub.2, thereby an
IO or an ITO thin film can be deposited on the surface-modified polymer
substrate.
Um método de depositar a película fina do óxido do indium ou do óxido da lata do indium em uma carcaça do polímero é divulgado. No método, o feixe de íon do oxigênio ou do argônio radiated em uma carcaça do polímero por uma energia de aceleração constante em um estado do vácuo para modificar a superfície da carcaça do polímero, em que uma película fina do IO ou uma película fina de ITO forem depositadas quando feixe de íon do oxigênio, feixe de íon do argônio ou seu feixe de íon da mistura radiated em um estado do vácuo. Além, o feixe de íon é gerado de uma fonte fria do íon do cátodo usando o argônio, oxigênio ou seu gás da mistura e sputtered em uma substância do alvo composta de In.sub.2 O.sub.3 ou de In.sub.2 O.sub.3 e SnO.sub.2, desse modo um IO ou uma película fina de ITO pode ser depositado na carcaça superfície-modificada do polímero.
