The light-emitting device 100 has an ITO electrode layer 8 for applying
drive voltage for light emission to a light emitting layer section 24,
where the light from the light emitting layer section 24 is extracted as
being passed through the ITO electrode layer 8. Between the light emitting
layer section 24 and the ITO electrode layer 8, an electrode contact layer
7 composed of In-containing GaAs is located so as to contact with such ITO
electrode layer 8, where occupied areas and unoccupied areas for the
electrode contact layer 7 are arranged in a mixed manner on the contact
interface with the transparent electrode layer 8. The electrode contact
layer 7 can be obtained by annealing a stack 13, which comprises a GaAs
layer 7" formed on the light emitting layer section 24 and the ITO
electrode layer 8 formed so as to contact with the GaAs layer 7", to
thereby allow In to diffuse from the ITO electrode layer to the GaAs layer
7".
El dispositivo luminescente 100 tiene una capa 8 del electrodo de ITO para aplicar el voltaje de la impulsión para la emisión ligera a una sección ligera 24 de la capa que emite, donde la luz de la sección ligera 24 de la capa que emite se extrae como siendo pasado con la capa 8 del electrodo de ITO. Entre la sección ligera 24 de la capa que emite y la capa 8 del electrodo de ITO, una capa 7 del contacto del electrodo integrada por el GaAs En-que contiene se localiza para entrar en contacto con con tal capa 8 del electrodo de ITO, donde las áreas ocupadas y las áreas vacantes para la capa 7 del contacto del electrodo se arreglan de una manera mezclada en el interfaz del contacto con la capa transparente 8 del electrodo. La capa 7 del contacto del electrodo puede ser obtenida recociendo un apilado 13, que abarca una capa el 7"del GaAs formado en la sección ligera 24 de la capa que emite y la capa 8 del electrodo de ITO formada para entrar en contacto con con la capa el 7" del GaAs, de tal modo para permitir adentro para difundir de la capa del electrodo de ITO a la capa el 7"del GaAs.
