A magnetic field sensor for sensing an applied magnetic field by utilizing
a Hall effect. Used, as a sensor portion, are compound materials such as
FeN showing a significant anomalous Hall effect, and materials containing
magnetic properties such as a magnetic semiconductor having a zincblende
structure and oxide having a perovskite structure. A device structure of
the magnetic field sensor is adopted, in which by providing a current
terminal to a film and a voltage terminal thereof respectively in a film
thickness direction and in an in-plane direction, the magnetic field can
be guided into the in-plane direction.
Ένας αισθητήρας μαγνητικών πεδίων για την αντίληψη ενός εφαρμοσμένου μαγνητικού πεδίου με τη χρησιμοποίηση μιας επίδρασης αιθουσών. Χρησιμοποιημένη, ως αισθητήρας μια μερίδα, είναι σύνθετα υλικά όπως FeN που παρουσιάζουν σημαντική ανώμαλη επίδραση αιθουσών, και υλικά που περιέχουν τις μαγνητικές ιδιότητες όπως ένας μαγνητικός ημιαγωγός που έχουν μια δομή και ένα οξείδιο zincblende που έχουν μια perovskite δομή. Μια δομή συσκευών του αισθητήρα μαγνητικών πεδίων υιοθετείται, στον οποίο με την παροχή ενός τρέχοντος τερματικού σε μια ταινία και ενός τερματικού τάσης επ' αυτού αντίστοιχα σε μια κατεύθυνση πάχους ταινιών και σε μια-ΕΠΊΠΕΔΗ κατεύθυνση, το μαγνητικό πεδίο μπορεί να καθοδηγηθεί στη-ΕΠΊΠΕΔΗ κατεύθυνση.
