A method of forming a ferroelectric film includes the steps of forming a
layer by a material that takes a metal state in a reducing ambient and an
oxide state in an oxidizing ambient, and depositing a ferroelectric film
on a surface of the layer by supplying gaseous sources of the
ferroelectric film and an oxidizing gas and causing a decomposition of the
gaseous sources at the surface of said layer, wherein the step of
depositing the ferroelectric film is started with a preparation step in
which the state of the surface of said layer is controlled substantially
to a critical point in which the layer changes from the metal state to the
oxide state and from the oxide state to the metal state.
Um método de dar forma a uma película ferroelectric inclui as etapas de dar forma a uma camada por um material que faça exame de um estado do metal em reduzir ambiental e de um estado do óxido em uma oxidação ambiental, e de depositar uma película ferroelectric em uma superfície da camada fornecendo fontes gasosas da película ferroelectric e de um gás de oxidação e causando um decomposition das fontes gasosas na superfície de camada dita, wherein a etapa de depositar a película ferroelectric é começada com uma etapa da preparação em que o estado da superfície de camada dita é controlado substancialmente a um ponto crítico em que a camada muda do estado do metal ao estado do óxido e dos estado do óxido ao estado do metal.
