Method for producing a semiconductor memory element

   
   

A method for fabricating a contact hole for a semiconductor memory element. The memory element includes a silicon substrate, an intermediate dielectric layer on the substrate, and an upper layer on the intermediate dielectric layer. The method includes forming a perforated mask on the upper layer, the mask including a material that exhibits temperature stability. The upper layer and a depression are etched into the intermediate dielectric layer as far as a residual thickness using the perforated mask. A layer including O.sub.3 /TEOS-SiO.sub.2 is deposited onto a structure thus obtained. The layer including O.sub.3 /TEOS-SiO.sub.2 is removed from a bottom of the depression by etching. The depression is lowered by etching to produce the contact hole as far as an interface with the silicon substrate, the silicon substrate being uncovered, and the layer including O.sub.3 /TEOS-SiO.sub.2 serving as a lateral seal of the upper layer during the lowering of the depression.

Een methode om een contactgat voor een element van het halfgeleidergeheugen te vervaardigen. Het geheugenelement omvat een siliciumsubstraat, een midden diëlektrische laag op het substraat, en een hogere laag op de midden diëlektrische laag. De methode omvat het vormen van een geperforeerd masker op de hogere laag, het masker met inbegrip van een materiaal dat temperatuurstabiliteit tentoonstelt. De hogere laag en een depressie worden geëtst in de midden diëlektrische laag zover als een overblijvende dikte gebruikend het geperforeerde masker. Een laag met inbegrip van O.sub.3/teos-SiO.sub.2 wordt gedeponeerd op een zo verkregen structuur. De laag met inbegrip van O.sub.3/teos-SiO.sub.2 wordt verwijderd uit een bodem van de depressie door ets. De depressie wordt verminderd door ets om het contactgat zover als een interface met het siliciumsubstraat te veroorzaken, het siliciumsubstraat, en de laag die met inbegrip van O.sub.3/teos-SiO.sub.2 als zijverbinding van de hogere laag tijdens het verminderen van de depressie dienen aan het licht worden gebracht.

 
Web www.patentalert.com

< Method of forming a ferroelectric film and fabrication process of a semiconductor device having a ferroelectric film

< Reference voltage generating circuit of nonvolatile ferroelectric memory device

> Layer arrangement, memory cell, memory cell arrangement and method for producing a layer arrangement

> Semiconductor device having fuse circuit on cell region and method of fabricating the same

~ 00110