A method for fabricating a contact hole for a semiconductor memory element.
The memory element includes a silicon substrate, an intermediate
dielectric layer on the substrate, and an upper layer on the intermediate
dielectric layer. The method includes forming a perforated mask on the
upper layer, the mask including a material that exhibits temperature
stability. The upper layer and a depression are etched into the
intermediate dielectric layer as far as a residual thickness using the
perforated mask. A layer including O.sub.3 /TEOS-SiO.sub.2 is deposited
onto a structure thus obtained. The layer including O.sub.3
/TEOS-SiO.sub.2 is removed from a bottom of the depression by etching. The
depression is lowered by etching to produce the contact hole as far as an
interface with the silicon substrate, the silicon substrate being
uncovered, and the layer including O.sub.3 /TEOS-SiO.sub.2 serving as a
lateral seal of the upper layer during the lowering of the depression.
Een methode om een contactgat voor een element van het halfgeleidergeheugen te vervaardigen. Het geheugenelement omvat een siliciumsubstraat, een midden diëlektrische laag op het substraat, en een hogere laag op de midden diëlektrische laag. De methode omvat het vormen van een geperforeerd masker op de hogere laag, het masker met inbegrip van een materiaal dat temperatuurstabiliteit tentoonstelt. De hogere laag en een depressie worden geëtst in de midden diëlektrische laag zover als een overblijvende dikte gebruikend het geperforeerde masker. Een laag met inbegrip van O.sub.3/teos-SiO.sub.2 wordt gedeponeerd op een zo verkregen structuur. De laag met inbegrip van O.sub.3/teos-SiO.sub.2 wordt verwijderd uit een bodem van de depressie door ets. De depressie wordt verminderd door ets om het contactgat zover als een interface met het siliciumsubstraat te veroorzaken, het siliciumsubstraat, en de laag die met inbegrip van O.sub.3/teos-SiO.sub.2 als zijverbinding van de hogere laag tijdens het verminderen van de depressie dienen aan het licht worden gebracht.
