A semiconductor device includes a continuous doped substrate with a
surface, a sulfur-based dielectric material layer positioned on the
surface of the continuous doped substrate, a dielectric material layer
positioned on the sulfur-based dielectric material layer, and a gate
contact region positioned on the sulfur-based dielectric material layer.
The continuous doped substrate includes silicon (Si) and the sulfur-based
dielectric material includes a transition metal sulfide such as strontium
zirconium sulfur (SrZrS), barium zirconium sulfur (BaZrS), strontium
hafnium sulfur (SrHfS), barium hafnium sulfur (BaHfS), or the like.
Further, the gate contact region includes a layer of one of strontium
titanium sulfur (SrTiS), barium titanium sulfur (BaTiS), or the like
positioned adjacent to the dielectric material layer.
Μια συσκευή ημιαγωγών περιλαμβάνει ένα συνεχές ναρκωμένο υπόστρωμα με μια επιφάνεια, ένα θείο-βασισμένο στον διηλεκτρικό υλικό στρώμα που τοποθετούνται στην επιφάνεια του συνεχούς ναρκωμένου υποστρώματος, ένα διηλεκτρικό υλικό στρώμα που τοποθετούνται στο θείο-βασισμένο στον διηλεκτρικό υλικό στρώμα, και μια περιοχή επαφών πυλών που τοποθετείται στο θείο-βασισμένο στο διηλεκτρικό υλικό στρώμα. Το συνεχές ναρκωμένο υπόστρωμα περιλαμβάνει το πυρίτιο (Si) και το θείο-βασισμένο στο διηλεκτρικό υλικό περιλαμβάνει ένα σουλφίδιο μετάλλων μετάβασης όπως το θείο ζιρκονίου στροντίου (SrZrS), το θείο ζιρκονίου βάριου (BaZrS), hafnium στροντίου το θείο (SrHfS), hafnium βάριου το θείο (BaHfS), ή οι όμοιοι. Περαιτέρω, η περιοχή επαφών πυλών περιλαμβάνει ένα στρώμα ένα από το θείο τιτανίου στροντίου (SrTiS), το θείο τιτανίου βάριου (BaTiS), ή τους ομοίους που τοποθετούνται δίπλα στο διηλεκτρικό υλικό στρώμα.
