A bipolar heterojunction transistor (HBT) includes a collector layer, a
base layer formed on the collector layer, a first transition layer formed
on the base layer, an emitter layer formed on the first transition layer,
a second transition layer formed on the emitter layer, and an emitter cap
layer formed on the second transition layer. Each of the first and second
transition layers is formed of a composition that contains an element, the
mole fraction of which is graded in such a manner that the conduction band
of the HBT is continuous through the base layer, the first and second
transition layers, the emitter layer and the emitter cap layer.
Ein zweipoliger Heterojunctiontransistor (HBT) schließt eine Kollektorschicht, eine Basisschicht ein, die auf der Kollektorschicht, eine erste Übergangsschicht gebildet wird, die auf der Basisschicht, eine Emitterschicht gebildet wird, die auf der ersten Übergangsschicht, eine zweite Übergangsschicht gebildet wird, die auf der Emitterschicht und einer Emitterkappe Schicht gebildet wird auf der zweiten Übergangsschicht gebildet wird. Jede der ersten und zweiten Übergangsschichten wird von einem Aufbau gebildet, der ein Element enthält, deren Molebruch geordnet wird, derart daß das Leitungsband des HBT durch die Basisschicht, die ersten und zweiten Übergangsschichten, die Emitterschicht und die Emitterkappe Schicht ununterbrochen ist.
