A semiconductor-laser-excited solid-state laser apparatus includes a
solid-state laser element and a semiconductor laser unit including a
resonator. The solid-state laser element is excited by light emitted from
the semiconductor laser unit, and emits laser light. The resonator length
in the semiconductor laser unit is arranged to be at least 0.8 mm, so as
to reduce an amount of wavelength shift in light emitted from the
semiconductor laser unit, and achieve a stable, high-power laser output
from the semiconductor-laser-excited solid-state laser apparatus.
Un appareillage à semi-conducteurs semi-conducteur-laser-passionnant de laser inclut un élément à semi-conducteurs de laser et une unité de laser de semi-conducteur comprenant un résonateur. L'élément à semi-conducteurs de laser est excité par la lumière émise à partir de l'unité de laser de semi-conducteur, et émet la lumière de laser. La longueur de résonateur dans l'unité de laser de semi-conducteur est arrangée pour être au moins de 0.8 millimètre, afin de réduire une quantité de variation de longueur d'onde dans la lumière émise à partir de l'unité de laser de semi-conducteur, et réalise un résultat stable et de haute puissance de laser de l'appareillage à semi-conducteurs semi-conducteur-laser-passionnant de laser.
