A heterojunction P-I-N diode switch comprises a first layer of doped
semiconductor material of a first doping type, a second layer of doped
semiconductor material of a second doping type and a substrate on which is
disposed the first and second layers. An intrinsic layer of semiconductor
material is disposed between the first layer and second layer. The
semiconductor material composition of at least one of the first layer and
second layer is sufficiently different from that of the intrinsic layer so
as to form a heterojunction therebetween, creating an energy barrier in
which injected carriers from the junction are confined by the barrier,
effectively reducing the series resistance within the I region of the
P-I-N diode and the insertion loss relative to that of homojunction P-I-N
diodes.
Een heterojunction de diodeschakelaar van de SPELD bestaat uit een eerste laag van gesmeerd halfgeleidermateriaal van een eerste het smeren type, uit een tweede laag van gesmeerd halfgeleidermateriaal van een tweede het smeren type en uit een substraat waarop de eerste en tweede lagen wordt geschikt. Een intrinsieke laag van halfgeleidermateriaal wordt geschikt tussen de eerste laag en tweede laag. De halfgeleider materiële samenstelling van minstens één van de eerste laag en tweede laag is voldoende verschillend van dat van de intrinsieke laag om heterojunction te vormen therebetween, creërend een energiebarrière waarin de ingespoten dragers van de verbinding door de barrière worden beperkt, effectief verminderend de reeksweerstand binnen het gebied van I van de diode van de SPELD en het toevoegingsverlies met betrekking tot dat van homojunction de dioden van de SPELD.
