SiGe or SiC films are selectively grown on source/drain regions, followed
by selectively growing silicon. A monocrystalline film having a high
dislocation density or a polycrystalline film can be grown in growing the
silicon film by making the C or Ge concentration higher than a
predetermined level. The silicon layer on each of the source/drain regions
is not monocrystalline or, even if monocrystalline, has a high density of
dislocation. Therefore, the silicon film formed thereon is in the form of
a monocrystalline silicon film having a high dislocation density or a
polycrystalline silicon film. It is possible to suppress an impurity
diffusion to reach a deep region caused by channeling of ions generated in
the doping step by means of an ion implantation.
Пленки SiGe или SiC селективно растутся на зонах source/drain, последованных за селективно расти кремний. Monocrystalline пленка имея высокую плотность вывихивания или поликристаллическая пленка можно вырасти в расти пленка кремния путем делать концентрацию ч или ge более высокую чем предопределенный уровень. Слой кремния на каждой из зон source/drain не monocrystalline или, even if monocrystalline, не имеет высокую плотность вывихивания. Поэтому, пленка кремния сформированная thereon in the form of monocrystalline пленка кремния имея высокую плотность вывихивания или поликристаллическую пленку кремния. По возможности подавить диффузию примеси для достижения глубокой зоны причиненной путем направляться ионов произведенных в давая допинг шаге посредством вживления иона.
