A voltage-variable capacitor uses the channel-to-substrate junction from a
gated diode formed from a metal-oxide-semiconductor transistor. The
transistor gate has at least two contacts that are biased to different
voltages. The gate acts as a resistor with current flowing from an upper
gate contact to a lower gate contact. The gate-to-source voltage varies as
a function of the position. A critical voltage is where the gate-to-source
voltage is equal to the transistor threshold. A portion of the gate that
has gate voltages above the critical voltage has an inversion layer or
conducting channel under the gate. Another portion of the gate has gate
voltages below the critical voltage, and thus no channel forms. By varying
either the gate voltages or the source voltage, the area of the gate that
has a channel under it is varied, varying the channel-to-substrate
capacitance. Separate gate arms reduce bias current.
Un condensador voltaje-variable utiliza la ensambladura del canal-a-substrato de un diodo bloqueado formado de un transistor del metal-o'xido-semiconductor. La puerta del transistor tiene por lo menos dos contactos que se predispongan a diversos voltajes. La puerta actúa como resistor con fluir actual de un contacto superior de la puerta a un contacto más bajo de la puerta. El voltaje de la puerta-a-fuente varía en función de la posición. Un voltaje crítico es donde está igual el voltaje de la puerta-a-fuente al umbral del transistor. Una porción de la puerta que tiene voltajes de la puerta sobre el voltaje crítico tiene una capa de inversión o un canal que conduce bajo puerta. Otra porción de la puerta tiene voltajes de la puerta debajo del voltaje crítico, y así ningunas formas del canal. Variando los voltajes de la puerta o el voltaje de la fuente, el área de la puerta que tiene un canal bajo ella es variada, variando la capacitancia del canal-a-substrato. Los brazos separados de la puerta reducen la corriente diagonal.
