The present invention provides photoresist materials for use in
photolithography at wavelengths less than about 248 nm. More particularly,
the photoresists of the invention are particularly suited for use in 157
nm lithography. A photoresist composition of the invention includes a
polymer having at least one monomeric unit having an aromatic moiety. The
monomeric unit further includes at least a group, such as an electron
withdrawing group, attached to the aromatic moiety. The attached group
includes at least one CF bond. The polymer further includes an acidic
hydroxyl group. A photoresist composition of the invention can have an
absorbance in a range of 1-5 .mu.m.sup.-1 at 157 nm, rendering it
particularly suitable for use as a single layer resist in 157 nm
lithography.
Die anwesende Erfindung stellt Photoresistmaterialien für Gebrauch in der photolithographie an Wellenlängen weniger als ungefähr 248 nm zur Verfügung. Besonders, werden die Photoresists der Erfindung besonders für Gebrauch 157 nm in der Lithographie entsprochen. Ein Photoresistaufbau der Erfindung schließt ein Polymer-Plastik mit ein, das mindestens eine monomere Maßeinheit hat, eine aromatische Hälfte zu haben. Die monomere Maßeinheit, die weiter ist, schließt mindestens eine Gruppe, wie ein Elektron ein, welches die Gruppe zurücknimmt, angebracht zur aromatischen Hälfte. Die angebrachte Gruppe schließt mindestens eine CF-Bindung ein. Das weitere Polymer-Plastik schließt eine säurehaltige Hydroxylgruppe ein. Ein Photoresistaufbau der Erfindung kann eine Absorption in einer Strecke mu.m.sup.-1 1-5 bei 157 nm haben und sie besonders verwendbar machen für Gebrauch, während eine einzelne Schicht 157 nm in der Lithographie widerstehen.
