To make it possible to mount micro ball electrodes of a semiconductor
device of CSP (chip size package) or BGA (ball grid array) type, to reduce
the diameter of the electrode forming hole, to make fine the pattern of
the wiring film, to improve precision of the external accuracy, and to
facilitate production. A plurality of wiring films (4) are formed on one
surface part of the base (5) of an insulating resin such that said film
surface is positioned flush with said base surface and at least part of
the wiring films overlap the electrode forming hole (8) of said base, each
electrode forming hole (8) is buried with an electrically conductive
material and the external electrode (6) projecting to the opposite side of
the wiring film is formed, and the semiconductor chip (14) is
flip-chip-connected onto said one surface of the base (5).
Para fazê-lo possível montar os micro elétrodos da esfera de um dispositivo de semicondutor do tipo de CSP (pacote do tamanho da microplaqueta) ou de BGA (disposição da grade da esfera), reduzir o diâmetro do elétrodo que dá forma ao furo, para fazer muito bem o teste padrão da película da fiação, para melhorar a precisão da exatidão externa, e para facilitar a produção. Um plurality de películas que da fiação (4) são dados forma em uma porção de superfície do (5) baixo de uma resina isolando tais que a superfície dita da película está posicionada em nível com a superfície e ao menos a parte baixas ditas da sobreposição das películas da fiação o elétrodo que dá forma ao furo (8) de base dita, cada elétrodo que dá forma ao furo (8) é enterrado com um material eletricamente condutor e o elétrodo externo (6) que projeta-se ao lado oposto da película da fiação é dado forma, e a microplaqueta do semicondutor (14) lanç-microplaqueta-é conectada em uma superfície dita do (5) baixo.
