A temperature measuring method for a target substrate to be thermally
processed in a semiconductor processing apparatus under a predetermined
process condition is provided. This method includes the steps of detecting
a heat flux supplied from at least part of the target substrate and
detecting a temperature of a sensor by using the sensor facing the target
substrate, and calculating a temperature of the target substrate from a
parameter, including a thermal resistance between the sensor and the
target substrate under the predetermined process condition, the detected
heat flux, and the temperature of the sensor. The sensor is arranged
opposite to heating means, through the target substrate, which heats the
target substrate. The parameter may be obtained in advance by calibration.
Обеспечен метод температуры измеряя для субстрата цели термально, котор нужно обрабатывать в полупроводнике обрабатывая прибор под предопределенной обработкой условий. Этот метод вклюает шаги обнаруживать поток жары поставленный от по крайней мере части субстрата цели и обнаруживать температуру датчика путем использование датчика смотря на субстрат цели, и высчитывая температуру субстрата цели от параметра, включая термально сопротивление между датчиком и субстратом цели под предопределенной обработкой условий, обнаруженным потоком жары, и температурой датчика. Датчик аранжирован напротив середин топления, через субстрат цели, который нагрюет субстрат цели. Параметр может быть получен заранее тарировкой.
