An ion beam processing apparatus comprises a beam line vacuum chamber from
an ion source to a processing chamber. The apparatus further comprises a
beam line structure for transporting ion beam from the ion source through
the beam line vacuum chamber to the processing chamber. A mass analysis
magnet unit is arranged from the outside in a partial section of the beam
line vacuum chamber. An effective magnetic field area of the mass analysis
magnet unit is disposed in a partial section of the beam line structure.
Continuous cusp field forming magnet apparatuses are arranged at the
series of beam line vacuum chamber part of the beam line structure to
confine ion beam by forming continuous cusp fields.
Un faisceau d'ions traitant l'appareil comporte une ligne de faisceau chambre de vide d'une source d'ion à une chambre de traitement. L'appareil autre comporte une ligne structure de faisceau pour transporter le faisceau d'ions de la source d'ion par la ligne chambre de faisceau de vide à la chambre de traitement. Une unité de masse d'aimant d'analyse est arrangée de l'extérieur dans une section partielle de la ligne chambre de faisceau de vide. Un secteur efficace de champ magnétique de l'unité de masse d'aimant d'analyse est disposé dans une section partielle de la ligne structure de faisceau. Le champ continu de tranchant formant des appareillages d'aimant sont arrangés à la série de ligne pièce de faisceau de chambre de vide de la ligne structure de faisceau pour confiner le faisceau d'ions en formant les champs continus de tranchant.
