An ellipsometric apparatus provides two impinging focused probe beams
directed to reflect off the sample along two mutually distinct and
preferably substantially perpendicular directions. A rotating stage
rotates sections of the wafer into the travel area defined by two linear
axes of two perpendicularly oriented linear stages. As a result, an entire
wafer is accessed for measurement with the linear stages having a travel
range of only half the wafer diameter. The reduced linear travel results
in a small travel envelope occupied by the wafer and consequently in a
small footprint of the apparatus. The use of two perpendicularly directed
probe beams permits measurement of periodic structures along a preferred
direction while permitting the use of a reduced motion stage.
Un appareil ellipsometric fournit deux faisceaux de sonde focalisés par empiétement dirigés pour se refléter outre de l'échantillon le long de deux mutuellement distincts et de directions de préférence essentiellement perpendiculaires. Une étape tournante tourne des sections de la gaufrette dans le secteur de voyage défini par deux haches linéaires de deux étapes linéaires perpendiculairement orientées. En conséquence, une gaufrette entière est consultée pour la mesure avec les étapes linéaires ayant une gamme de voyage de moitié seulement du diamètre de gaufrette. Le voyage linéaire réduit a sous petite enveloppe de voyage occupée par la gaufrette et par conséquent comme conséquence une petite empreinte de pas de l'appareil. L'utilisation de deux faisceaux perpendiculairement dirigés de sonde permet la mesure des structures périodiques le long d'une direction préférée tout en permettant l'utilisation d'une étape réduite de mouvement.
