Overlay mark, method of measuring overlay accuracy, method of making alignment and semiconductor device therewith

   
   

The present invention relates to an overlay mark used for the measurement of the overlay accuracy between layered patterns and alignment at the time of exposure; which has a grooved pattern surrounding a mark pattern that is formed by engraving a groove or an indent in a prescribed position on a layer where a circuit pattern is formed so as to protect this mark pattern from being deformed by thermal expansion or contraction of this layer. The present invention enables to form a multi-layered circuit pattern with a high accuracy and a high yield in production, even in the formation of a minute and densely-spaced circuit pattern.

La presente invenzione riguarda un contrassegno della sovvrapposizione usato per la misura dell'esattezza della sovvrapposizione fra i modelli e l'allineamento fatti uno strato di ai tempi di esposizione; quale ha un modello scanalato circondare un modello del contrassegno che è costituito dall'incisione una scanalatura o della rientranza in una posizione prescritta su uno strato dove un modello del circuito è formato in modo da proteggere questo modello del contrassegno dal essere deformato dall'espansione termica o dalla contrazione di questo strato. La presente invenzione permette di formare un modello multi-layered del circuito con un'alta esattezza e un alto rendimento nella produzione, anche nella formazione di un minuto e di un modello denso-spaziato del circuito.

 
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