Thin film transistor, liquid crystal display panel, and method of manufacturing thin film transistor

   
   

The present invention reduces the number of necessary steps in a thin-film-transistor manufacturing process and prevents an abnormal potential from being generated due to a leakage current from another signal line. A thin film transistor comprises a gate electrode 30 disposed on a predetermined substrate and formed in a predetermined pattern, a semiconductor layer 27 formed correspondingly to patterning of the gate electrode 30, a pixel electrode 25 interposed by the semiconductor layer, and a signal electrode 26 interposed by the semiconductor layer and disposed at a predetermined interval from the pixel electrode 25, in which the signal electrode 26 is disposed at such a position where the signal electrode prevents crosstalk leakage current flowing from adjacent signal lines 32b and 32c to the pixel electrode 25 via the semiconductor layer.

A invenção atual reduz o número de etapas necessárias em um processo de manufacturing do fino-película-transistor e impede que um potencial anormal seja gerado devido a uma corrente do escapamento de uma outra linha de sinal. Um transistor da película fina compreende um elétrodo de porta 30 disposto em uma carcaça predeterminada e dado forma em um teste padrão predeterminado, uma camada 27 do semicondutor dada forma correspondingly a modelar do elétrodo de porta 30, de um elétrodo 25 do pixel interposed pela camada do semicondutor, e de um elétrodo 26 do sinal interposed pela camada do semicondutor e disposto em um intervalo predeterminado do elétrodo 25 do pixel, em que o elétrodo 26 do sinal é disposto em tal posição onde o elétrodo do sinal impede fluir atual do escapamento do crosstalk das linhas de sinal adjacentes 32b e 32c ao elétrodo 25 do pixel através da camada do semicondutor.

 
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