The present invention reduces the number of necessary steps in a
thin-film-transistor manufacturing process and prevents an abnormal
potential from being generated due to a leakage current from another
signal line. A thin film transistor comprises a gate electrode 30 disposed
on a predetermined substrate and formed in a predetermined pattern, a
semiconductor layer 27 formed correspondingly to patterning of the gate
electrode 30, a pixel electrode 25 interposed by the semiconductor layer,
and a signal electrode 26 interposed by the semiconductor layer and
disposed at a predetermined interval from the pixel electrode 25, in which
the signal electrode 26 is disposed at such a position where the signal
electrode prevents crosstalk leakage current flowing from adjacent signal
lines 32b and 32c to the pixel electrode 25 via the semiconductor layer.
A invenção atual reduz o número de etapas necessárias em um processo de manufacturing do fino-película-transistor e impede que um potencial anormal seja gerado devido a uma corrente do escapamento de uma outra linha de sinal. Um transistor da película fina compreende um elétrodo de porta 30 disposto em uma carcaça predeterminada e dado forma em um teste padrão predeterminado, uma camada 27 do semicondutor dada forma correspondingly a modelar do elétrodo de porta 30, de um elétrodo 25 do pixel interposed pela camada do semicondutor, e de um elétrodo 26 do sinal interposed pela camada do semicondutor e disposto em um intervalo predeterminado do elétrodo 25 do pixel, em que o elétrodo 26 do sinal é disposto em tal posição onde o elétrodo do sinal impede fluir atual do escapamento do crosstalk das linhas de sinal adjacentes 32b e 32c ao elétrodo 25 do pixel através da camada do semicondutor.