RF passive circuit and RF amplifier with via-holes

   
   

An input matching parallel inductor 114 which utilizes a spiral inductor, and an input matching parallel capacitor 115 which utilizes an MIM capacitor, both being constituting elements of an input matching circuit portion 125, form an input matching parallel capacitor 115 inside an input matching circuit via-hole 121 being formed by applying a method of surface via-hole to the front surface of a GaAs substrate 124. A choke inductor 119 which utilizes a spiral inductor, and a bypass capacitor 120 which utilizes an MIM capacitor, both being constituting elements of a drain voltage feeding circuit 107, form a bypass capacitor 120 inside a drain voltage feeding circuit via-hole 123 formed by applying a method of surface via-hole to the front surface of the GaAs substrate 124. A drain voltage terminal 136 is extended by a drawing wire 135 from between the spiral inductor and the drain voltage feeding circuit via-hole 123.

Μια εισαγωγή που ταιριάζει με το παράλληλο πηνίο 114 που χρησιμοποιεί ένα σπειροειδές πηνίο, και μια εισαγωγή που ταιριάζει με τον παράλληλο πυκνωτή 115 που χρησιμοποιεί έναν MIM πυκνωτή, και οι δύο που είναι αποτελώντας τα στοιχεία μιας ταιριάζοντας με μερίδας 125 κυκλωμάτων εισαγωγής, διαμορφώνει μια εισαγωγή που ταιριάζει με τον παράλληλο πυκνωτή 115 εσωτερικό μια ταιριάζοντας με μέσω-τρύπα 121 κυκλωμάτων εισαγωγής που διαμορφώνεται με την εφαρμογή μιας μεθόδου μέσω-τρύπας επιφάνειας στην μπροστινή επιφάνεια ενός gaAs υποστρώματος 124. Ένα πηνίο 119 έμφραξης που χρησιμοποιεί ένα σπειροειδές πηνίο, και έναν πυκνωτή 120 παράκαμψης που χρησιμοποιεί έναν MIM πυκνωτή, και οι δύο που είναι αποτελώντας τα στοιχεία ενός κυκλώματος 107 σίτισης τάσης αγωγών, διαμορφώνει έναν πυκνωτή 120 παράκαμψης εσωτερικό μια μέσω-τρύπα 123 κυκλωμάτων σίτισης τάσης αγωγών που διαμορφώνεται με την εφαρμογή μιας μεθόδου μέσω-τρύπας επιφάνειας στην μπροστινή επιφάνεια του gaAs υποστρώματος 124. Ένα τερματικό 136 τάσης αγωγών επεκτείνεται από ένα καλώδιο 135 σχεδίων από μεταξύ το σπειροειδές πηνίο και τη μέσω-τρύπα 123 κυκλωμάτων σίτισης τάσης αγωγών.

 
Web www.patentalert.com

< Method of making a polycide interconnection layer having a silicide film formed on a polycrystal silicon for a semiconductor device

< EMI and noise shielding for multi-metal layer high frequency integrated circuit processes

> Multiple oxide thicknesses for merged memory and logic applications

> RuSixOy-containing adhesion layers and process for fabricating the same

~ 00135