Integrated circuit structures having a substrate assembly that includes at
least one active device and a silicon-containing region are disclosed. The
integrated circuit structure includes an interconnect formed relative to
the at least one active device and the silicon-containing region. The
interconnect includes an adhesion layer on the silicon-containing region.
The adhesion layer is formed of RuSi.sub.x O.sub.y, where x and y are in a
range of about 0.01 to about 10.
Des structures de circuit intégré ayant un substrat qui inclut au moins un dispositif actif et une région silicium-contenante sont révélées. La structure de circuit intégré inclut une interconnexion formée relativement à l'au moins un dispositif actif et à la région silicium-contenante. L'interconnexion inclut une couche d'adhérence sur la région silicium-contenante. La couche d'adhérence est constituée de RuSi.sub.x O.sub.y, où x et y sont dans une gamme environ de 0.01 environ à 10.
