Semiconductor device having amorphous barrier layer for copper metallurgy

   
   

A semiconductor device which includes, between a copper conductive layer and a low-k organic insulator, a barrier layer comprising an amorphous metallic glass, preferably amorphous tantalum-aluminum. A method of making the semiconductor device is also disclosed.

Een halfgeleiderapparaat dat, tussen een koper geleidende laag en een organische isolatie laag-k omvat, een barrièrelaag bestaand uit een amorf metaalglas, bij voorkeur amorf tantalium-aluminium. Een methode van het maken wordt het halfgeleiderapparaat ook onthuld.

 
Web www.patentalert.com

< Multiple oxide thicknesses for merged memory and logic applications

< RuSixOy-containing adhesion layers and process for fabricating the same

> Selective underfill for flip chips and flip-chip assemblies

> Ring oscillator with embedded scatterometry grate array

~ 00135