A semiconductor memory device includes a data line array connected to a
memory cell array, a read circuit configured to charge selected data lines
to read data, and a non-selection-side charge circuit configured to charge
non-selected data lines. In the data line array, a first group of lower
order 8 bit data lines and a second group of higher order 8 bit data lines
are alternately disposed one line by one line. The read circuit selects
and charges all the 16 bit data lines in a word data read mode, while it
selects and charges one of the first and second groups in a byte data read
mode. The non-selection-side charge circuit selects and charges
non-selected data lines, which belong to the other of the first and second
groups not selected by the read circuit in the byte data read mode.
Um dispositivo de memória do semicondutor inclui uma linha de dados disposição conectada a uma disposição de pilha da memória, um circuito lido configurarado para carregar linhas de dados selecionadas aos dados lidos, e um circuito da carga do non-seleção-lado configurarado para carregar linhas de dados non-selecionadas. Na linha de dados disposição, um primeiro grupo de umas linhas de dados mais baixas do bocado da ordem 8 e um segundo grupo de linhas de dados do bocado de uma ordem mais elevada 8 são dispostos alternadamente uma linha por uma linha. O circuito lido seleciona e carrega todas as 16 linhas de dados do bocado em uma modalidade lida de dados da palavra, quando selecionar e carregar um dos primeiros e segundos grupos em uma modalidade lida de dados do byte. O circuito da carga do non-seleção-lado seleciona e carrega as linhas de dados non-selecionadas, que pertencem aos outros dos primeiros e segundos grupos não selecionados pelo circuito lido na modalidade lida de dados do byte.
