Known techniques to improve metal-oxide-semiconductor field effect
transistor (MOSFET) performance is to add a high stress dielectric layer
to the MOSFET. The high stress dielectric layer introduces stress in the
MOSFET that causes electron mobility drive current to increase. This
technique increases process complexity, however, and can degrade PMOS
performance. Embodiments of the present invention create dislocation loops
in the MOSFET substrate to introduce stress and implants nitrogen in the
substrate to control the growth of the dislocation loops so that the
stress remains beneath the channel of the MOSFET.
As técnicas sabidas para melhorar o desempenho do transistor de efeito de campo do metal-óxido-semicondutor (MOSFET) devem adicionar uma camada dieléctrica do stress elevado ao MOSFET. A camada dieléctrica do stress elevado introduz o stress no MOSFET que faz com que a corrente de movimentação da mobilidade de elétron aumente. Esta técnica aumenta a complexidade process, entretanto, e pode degradar o desempenho do PMOS. As incorporações da invenção atual críam laços do dislocation na carcaça do MOSFET para introduzir o stress e implants o nitrogênio na carcaça para controlar o crescimento dos laços do dislocation de modo que o stress remanesça abaixo da canaleta do MOSFET.
