A multi-tone photomask and method for manufacturing the same are disclosed.
A photomask includes a filter layer formed on at least a portion of a
substrate. The filter layer includes a first pattern formed by a first
etch process. A barrier layer including the first pattern is formed on at
least a portion of the filter layer by a second etch process. An absorber
layer including a second pattern is formed on at least a portion of the
barrier layer by a third etch process. The barrier layer further acts as
an etch stop for the third etch process.
Un photomask y un método del multi-tono para fabricar igual se divulgan. Un photomask incluye una capa filtrante formada en por lo menos una porción de un substrato. La capa filtrante incluye un primer patrón formado por un primer proceso del grabado de pistas. Una capa de barrera incluyendo el primer patrón es formada en por lo menos una porción de la capa filtrante por un segundo proceso del grabado de pistas. Una capa del amortiguador incluyendo un segundo patrón es formada en por lo menos una porción de la capa de barrera por un tercer proceso del grabado de pistas. Los actos posteriores de la capa de barrera como parada del grabado de pistas para el tercer proceso del grabado de pistas.
