The present invention comprises a method for forming a hardmask including
the steps of depositing a polymeric preceramic precursor film atop a
substrate; converting the polymeric preceramic precursor film into at
least one ceramic layer, where the ceramic layer has a composition of
Si.sub.v N.sub.w C.sub.x O.sub.y H.sub.z where 0.1.ltoreq.v.ltoreq.0.9,
0.ltoreq.w.ltoreq.0.5, 0.05.ltoreq.x.ltoreq.0.9, 0.ltoreq.y.ltoreq.0.5,
0.05.ltoreq.z.ltoreq.0.8 for v+w+x+y+z=1; forming a patterned photoresist
atop the ceramic layer; patterning the ceramic layer to expose regions of
the underlying substrate, where a remaining region of the underlying
substrate is protected by the patterned ceramic layer; and etching the
exposed region of the underlying substrate. Another aspect of the present
invention is a buried etch stop layer having a composition of Si.sub.v
N.sub.w C.sub.x O.sub.y H.sub.z where 0.05
De onderhavige uitvinding bestaat uit een methode om een hardmask met inbegrip van de stappen te vormen van het deponeren van een polymere preceramic voorloperfilm boven op een substraat; omzettend de polymere preceramic voorloperfilm in minstens één ceramische laag, waar de ceramische laag een samenstelling van Si.sub.v N.sub.w C.sub.x O.sub.y H.sub.z waar 0.1.ltoreq.v.ltoreq.0.9, 0.ltoreq.w.ltoreq.0.5, 0.05.ltoreq.x.ltoreq.0.9, 0.ltoreq.y.ltoreq.0.5, 0.05.ltoreq.z.ltoreq.0.8 voor v+w+x+y+z=1 heeft; het vormen van gevormde photoresist boven op de ceramische laag; vormend de ceramische laag om gebieden van het onderliggende substraat bloot te stellen, waar een resterend gebied van het onderliggende substraat door de gevormde ceramische laag wordt beschermd; en ets het blootgestelde gebied van het onderliggende substraat. Een ander aspect van de onderhavige uitvinding is begraven etst eindelaag die een samenstelling van Si.sub.v N.sub.w C.sub.x O.sub.y H.sub.z heeft waar 0,05
