A lithography mask or reticle and method of making the same is disclosed
wherein the fidelity of pattern transfers is enhanced by way of a
reduction in the opportunity for contaminating particles to become wedged
between the mask and a chuck upon which the mask may rest during
semiconductor processing via electrostatic chucking, and also by
facilitating heat dissipation within the mask via thermal conductance to
mitigate warping of the mask. One or more thermally conductive pads formed
within one or more layers applied to the mask facilitate the thermal
conductance, and spaces or apertures formed within the layers reduce the
potential for particle contamination.
Una máscara de la litografía o un retículo y un método de hacer igual se divulga en donde la fidelidad de las transferencias del patrón se realza por una reducción en la oportunidad para que las partículas de contaminación se acuñó entre la máscara y una tirada sobre las cuales la máscara puede reclinarse durante el semiconductor que procesa vía arrojar electrostático, y también facilitando la disipación de calor dentro de la máscara vía conductancia termal para atenuar el combeo de la máscara. Unos o más cojines termal conductores formaron dentro de unas o más capas aplicadas a la máscara facilitan la conductancia termal, y los espacios o las aberturas formados dentro de las capas reducen el potencial para la contaminación de la partícula.
