A multilayer semiconductor portion is provided on a semiconductor substrate
on side faces of a semiconductor portion. A second conductive type III-V
compound semiconductor layer is provided on the semiconductor portion and
the multilayer semiconductor portion. The multilayer semiconductor portion
has first to fourth semiconductor layers sequentially arranged on the
semiconductor substrate. The first semiconductor layer is a first
conductive type III-V compound semiconductor layer extending along the
side face of the semiconductor portion and a principal surface of the
semiconductor substrate. The second semiconductor layer is a second
conductive type III-V group compound semiconductor layer extending along
the first semiconductor layer. The third semiconductor layer is a first
conductive type III-V compound semiconductor layer extending along the
second semiconductor layer. The fourth semiconductor layer is a second
conductive type III-V compound semiconductor layer provided on the third
semiconductor layer.
Una parte a più strati a semiconduttore è fornita su un substrato a semiconduttore sulle facce laterali di una parte a semiconduttore. Un secondo tipo conduttivo strato a semiconduttore compound di III-V è fornito sulla parte a semiconduttore e sulla parte a più strati a semiconduttore. La parte a più strati a semiconduttore ha in primo luogo agli strati a semiconduttore di quarto organizzati in sequenza sul substrato a semiconduttore. Il primo strato a semiconduttore è un primo tipo conduttivo strato a semiconduttore compound di III-V che si estende lungo la faccia laterale della parte a semiconduttore e di una superficie principale del substrato a semiconduttore. Il secondo strato a semiconduttore è un secondo tipo conduttivo strato a semiconduttore compound del gruppo di III-V che si estende lungo il primo strato a semiconduttore. Il terzo strato a semiconduttore è un primo tipo conduttivo strato a semiconduttore compound di III-V che si estende lungo il secondo strato a semiconduttore. Lo strato a semiconduttore di quarto è un secondo tipo conduttivo strato a semiconduttore compound di III-V fornito sul terzo strato a semiconduttore.
