Semiconductor component and method for fabricating it

   
   

A semiconductor component and a method for fabricating it includes a substrate and an epitaxial layer situated thereon and integrating at least a first and a second bipolar component in the layer. The first and second bipolar components have a buried layer and different collector widths. The buried layer of the second component has a larger layer thickness than that of the first component; exactly one epitaxial layer is provided. The different collector widths produced as a result thereof are influenced by the outdiffusion of the dopant of the buried layers by other substances.

Um componente do semicondutor e um método para fabricá-lo incluem uma carcaça e uma camada epitaxial situated thereon e integrando um ao menos primeiro e segundo componente bipolar na camada. Os primeiros e segundos componentes bipolares têm uma camada enterrada e umas larguras diferentes do coletor. A camada enterrada do segundo componente tem uma espessura maior da camada do que aquela do primeiro componente; uma camada epitaxial é fornecida exatamente. As larguras diferentes do coletor produzidas em conseqüência são influenciadas disso pelo outdiffusion do dopant das camadas enterradas por outras substâncias.

 
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