A semiconductor component and a method for fabricating it includes a
substrate and an epitaxial layer situated thereon and integrating at least
a first and a second bipolar component in the layer. The first and second
bipolar components have a buried layer and different collector widths. The
buried layer of the second component has a larger layer thickness than
that of the first component; exactly one epitaxial layer is provided. The
different collector widths produced as a result thereof are influenced by
the outdiffusion of the dopant of the buried layers by other substances.
Um componente do semicondutor e um método para fabricá-lo incluem uma carcaça e uma camada epitaxial situated thereon e integrando um ao menos primeiro e segundo componente bipolar na camada. Os primeiros e segundos componentes bipolares têm uma camada enterrada e umas larguras diferentes do coletor. A camada enterrada do segundo componente tem uma espessura maior da camada do que aquela do primeiro componente; uma camada epitaxial é fornecida exatamente. As larguras diferentes do coletor produzidas em conseqüência são influenciadas disso pelo outdiffusion do dopant das camadas enterradas por outras substâncias.
