A SiGe HBT BiCMOS on a SOI substrate includes a self-aligned base/emitter
junction to optimize the speed of the HBT device. The disclosed SiGe
BiCMOS/SOI device has a higher performance than a SiGe BiCMOS device on a
bulk substrate. The disclosed device and method of fabricating the same
also retains the high performance of a SiGe HBT and the low power,
high-speed properties of a SOI CMOS. In addition, the disclosed method of
fabricating a self-aligned base/emitter junction provides a HBT transistor
having an improved frequency response.
SiGe HBT BiCMOS на субстрате SOI вклюает собственн-vyrovn4nnoe соединение base/emitter для того чтобы оптимизировать скорость приспособления HBT. Показанное приспособление SiGe BiCMOS/SOI имеет высокий класс исполнения чем приспособление SiGe BiCMOS на навальном субстрате. Показанные приспособление и метод изготовлять эти же также сохраняют высокий класс исполнения SiGe HBT и низкой силы, высоких свойств скорости SOI cmos. In addition, показанный метод изготовлять собственн-vyrovn4nnoe соединение base/emitter обеспечивает транзистор HBT имея улучшенную частоту откликов.
