Self-aligned SiGe HBT on a SOI substrate

   
   

A SiGe HBT BiCMOS on a SOI substrate includes a self-aligned base/emitter junction to optimize the speed of the HBT device. The disclosed SiGe BiCMOS/SOI device has a higher performance than a SiGe BiCMOS device on a bulk substrate. The disclosed device and method of fabricating the same also retains the high performance of a SiGe HBT and the low power, high-speed properties of a SOI CMOS. In addition, the disclosed method of fabricating a self-aligned base/emitter junction provides a HBT transistor having an improved frequency response.

SiGe HBT BiCMOS на субстрате SOI вклюает собственн-vyrovn4nnoe соединение base/emitter для того чтобы оптимизировать скорость приспособления HBT. Показанное приспособление SiGe BiCMOS/SOI имеет высокий класс исполнения чем приспособление SiGe BiCMOS на навальном субстрате. Показанные приспособление и метод изготовлять эти же также сохраняют высокий класс исполнения SiGe HBT и низкой силы, высоких свойств скорости SOI cmos. In addition, показанный метод изготовлять собственн-vyrovn4nnoe соединение base/emitter обеспечивает транзистор HBT имея улучшенную частоту откликов.

 
Web www.patentalert.com

< Light-receiving module

< Tunable thin film capacitor

> Semiconductor component and method for fabricating it

> Semiconductor optical device

~ 00139