The invention includes a magnetoresistive memory device having a conductive
core, and a first magnetic layer extending at least partially around the
conductive core. A non-magnetic material is over at least a portion of the
first magnetic layer and separated from the conductive core by at least
the first magnetic layer. A second magnetic layer is over the non-magnetic
material, and separated from the first magnetic layer by at least the
non-magnetic material. The invention also includes methods of forming
magnetoresistive memory devices.
A invenção inclui um dispositivo de memória magnetoresistive que têm um núcleo condutor, e uma primeira camada magnética que estende ao menos parcialmente em torno do núcleo condutor. Um material non-magnetic é excesso ao menos uma parcela da primeira camada magnética e separada do núcleo condutor ao menos pela primeira camada magnética. Uma segunda camada magnética está sobre o material non-magnetic, e separado da primeira camada magnética ao menos pelo material non-magnetic. A invenção inclui também métodos de dar forma a dispositivos de memória magnetoresistive.
