A magnetoresistive random access memory (MRAM) cell, comprising a magnetic
tunnel junction having frustrated magnetic reservoirs disposed oppositely
along two edges of a free magnetic layer of the junction and magnetized in
the same direction that is substantially orthogonal to a free magnetic
layer.
Een cel magnetoresistive van het directe toeganggeheugen (MRAM), bestaand uit een magnetische tunnelverbinding die magnetische reservoirs heeft gefrustreerd die tegengesteld langs twee randen van een vrije magnetische laag van de verbinding worden geschikt en die in de zelfde richting worden gemagnetiseerd die aan een vrije magnetische laag wezenlijk orthogonal is.
