A magnetoresistive random access memory is operated in a toggle fashion so
that its logic state is flipped from its current state to the alternate
state when written. This provides for a more consistent and reliable
programming because the magnetic transitional energy states during the
toggle operation are stable. In a write situation, however, this does mean
that the state of the cell must be read and compared to the desired state
of the cell before the cell is flipped. If the cell is already in the
desired logic state, then it should not be written. This read time penalty
before writing is reduced by beginning the write process while reading and
then aborting the write step if the cell is already in the desired state.
The write can actually begin on the cell and be aborted without adversely
effecting the state of the cell.
Une mémoire à accès sélective magnétorésistante est actionnée d'une mode à bascule de sorte que son état de logique soit renversé de son état actuel à l'état alternatif une fois écrit. Ceci prévoit une programmation plus cohérente et plus fiable parce que les états transitoires magnétiques d'énergie pendant l'opération à bascule sont stables. Dans une situation d'inscription, cependant, ceci signifie que l'état de la cellule doit être lu et comparé à l'état désiré de la cellule avant que la cellule soit renversée. Si la cellule est déjà dans l'état désiré de logique, alors il ne devrait pas écrire. Ceci a lu la pénalité de temps avant que l'écriture soit réduite en commençant le procédé d'inscription tout en lisant et puis en avortant l'inscription faites un pas si la cellule est déjà dans l'état désiré. L'inscription peut commencer sur la cellule et être avortée réellement sans effectuer défavorablement l'état de la cellule.
