A silicon oxide layer is produced by plasma enhanced decomposition of an
organosilicon compound to deposit films having a carbon content of at
least 1% by atomic weight. An optional carrier gas may be introduced to
facilitate the deposition process at a flow rate less than or equal to the
flow rate of the organosilicon compounds. An oxygen rich surface may be
formed adjacent the silicon oxide layer by temporarily increasing
oxidation of the organosilicon compound.
Een laag van het siliciumoxyde wordt veroorzaakt door plasma verbeterde decompositie van een organosilicon samenstelling om films te deponeren die een koolstofinhoud van minstens 1% door atoomgewicht hebben. Een facultatief draaggas kan worden geïntroduceerd om het depositoproces aan een stroomtarief te vergemakkelijken minder dan of gelijk aan het stroomtarief organosilicon samenstellingen. Een zuurstof rijke oppervlakte kan adjacent de laag van het siliciumoxyde door tijdelijk stijgende oxydatie van de organosilicon samenstelling worden gevormd.
