Method and apparatus for high density nanostructures

   
   

A method and apparatus for high density nanostructures is provided. The method and apparatus include Nano-compact optical disks, such as nano-compact disks (Nano-CDS). In one embodiment a 400 Gbit/in.sup.2 topographical bit density nano-CD with nearly three orders of magnitude higher than commercial CDS has been fabricated using nanoimprint lithography. The reading and wearing of such Nano-CDS have been studied using scanning proximal probe methods. Using a tapping mode, a Nano-CD was read 1000 times without any detectable degradation of the disk or the silicon probe tip. In accelerated wear tests with a contact mode, the damage threshold was found to be 19 .mu.N. This indicates that in a tapping mode, both the Nano-CD and silicon probe tip should have a lifetime that is at least four orders of magnitude longer than that at the damage threshold.

Μια μέθοδος και μια συσκευή για τα nanostructures υψηλής πυκνότητας παρέχονται. Η μέθοδος και οι συσκευές περιλαμβάνουν τους νανο-συμπαγείς οπτικούς δίσκους, όπως οι νανο-συμπαγείς δίσκοι (νανο-CD). Σε μια ενσωμάτωση το τοπογραφικό κομματιών in.sup.2 νανο-CD πυκνότητας 400 Gbit/me σχεδόν τρία μεγέθη υψηλότερα από τα εμπορικά CD έχει κατασκευαστεί χρησιμοποιώντας nanoimprint τη λιθογραφία. Η ανάγνωση και η φθορά των τέτοιων νανο-CD έχουν μελετηθεί χρησιμοποιώντας τις κεντρικές μεθόδους ελέγχων ανίχνευσης. Χρησιμοποιώντας έναν τρόπο τρυπήματος, το νανο-CD διαβάστηκε 1000 φορές χωρίς οποιαδήποτε ανιχνεύσιμη υποβάθμιση του δίσκου ή της άκρης ελέγχων πυριτίου. Στις επιταχυνόμενες δοκιμές ένδυσης με έναν τρόπο επαφών, το κατώτατο όριο ζημίας βρέθηκε για να είναι μu.Ν. 19 Αυτό δείχνει ότι σε έναν τρόπο τρυπήματος, και το νανο-CD και η άκρη ελέγχων πυριτίου πρέπει να έχουν μια διάρκεια ζωής που είναι τουλάχιστον τέσσερα μεγέθη πιό μακροχρόνια από αυτός στο κατώτατο όριο ζημίας.

 
Web www.patentalert.com

< Modular mold and die assembly

< High-throughput biomolecular crystallization and biomolecular crystal screening

> Field emission device and method for fabricating the same

> Variable gas conductance control for a process chamber

~ 00140