A memory includes: first and second recording layers for recording
information by utilizing a reversible phase change between a crystalline
phase and an amorphous phase which occurs due to increases in temperature
caused by application of an electric current pulse. The crystallization
temperatures of the first and second recording layers, T.sub.x1 and
T.sub.x2 have the relationship T.sub.x1 t.sub.x2. R.sub.a1 +R.sub.a2, R.sub.a1
+R.sub.c2, R.sub.c1 +R.sub.a2, and R.sub.c1 +R.sub.c2 are different from
one another where the resistance value of the first recording layer in the
amorphous phase is R.sub.a1, the resistance value of the first recording
layer in the crystalline phase is R.sub.c1, the resistance value of the
second recording layer in the amorphous phase is R.sub.a2 and the
resistance value of the second recording layer in the crystalline phase is
R.sub.c2.
Μια μνήμη περιλαμβάνει: πρώτα και δεύτερα στρώματα καταγραφής για τις πληροφορίες καταγραφής με τη χρησιμοποίηση μιας αντιστρέψιμης φάσης αλλάξτε μεταξύ μιας κρυστάλλινης φάσης και μιας άμορφης φάσης που εμφανίζεται λόγω στις αυξήσεις στη θερμοκρασία που προκαλείται από την εφαρμογή ενός ηλεκτρικού τρέχοντος σφυγμού. Οι θερμοκρασίες κρυστάλλωσης των πρώτα και δεύτερα στρωμάτων καταγραφής, το T.sub.x1 και το T.sub.x2 έχουν τη σχέση T.sub.x1 t.sub.x2. R.sub.a1 + R.sub.a2, R.sub.a1 + R.sub.c2, R.sub.c1 + R.sub.a2, και R.sub.c1 + R.sub.c2 είναι διαφορετικά μεταξύ τους όπου η αξία αντίστασης του πρώτου στρώματος καταγραφής στην άμορφη φάση είναι R.sub.a1, η αξία αντίστασης του πρώτου στρώματος καταγραφής στην κρυστάλλινη φάση είναι R.sub.c1, η αξία αντίστασης του δεύτερου στρώματος καταγραφής στην άμορφη φάση είναι R.sub.a2 και η αξία αντίστασης του δεύτερου στρώματος καταγραφής στην κρυστάλλινη φάση είναι R.sub.c2.
