Wiring line and manufacture process thereof and semiconductor device and manufacturing process thereof

   
   

To provide a technique for manufacturing a wiring line having a low resistance and a high heat resistance so as to make an active matrix type display device larger and finer. The wiring line is constructed of a laminated structure of a refractory metal, a low resistance metal and a refractory metal, and the wiring line is further protected with an anodized film. As a result, it is possible to form the wiring line having the low resistance and the high heat resistance and to form a contact with an upper line easily.

Pour fournir une technique pour fabriquer une ligne de câblage ayant une basse résistance et une résistance thermique élevée afin de faire une matrice active dactylographiiez le dispositif d'affichage plus grand et plus fin. La ligne de câblage est construite avec d'une structure stratifiée d'un métal réfractaire, d'un bas métal de résistance et d'un métal réfractaire, et la ligne de câblage est encore protégée avec un film anodisé. En conséquence, il est possible de former la ligne de câblage ayant la basse résistance et la résistance thermique élevée et de former un contact avec une ligne supérieure facilement.

 
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< Method of manufacturing a semiconductor device

< Laser irradiation method and laser irradiation apparatus, and method for fabricating semiconductor device

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> Self-assembly of organic-inorganic nanocomposite thin films for use in hybrid organic light emitting devices (HLED)

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