It is intended to achieve the reduction in number of heat treatments
carried out at high temperature (at least 600.degree. C.) and the
employment of lower temperature processes (600.degree. C. or lower), and
to achieve step simplification and throughput improvement. In the present
invention, a barrier layer (105), a second semiconductor film (106), and a
third semiconductor layer (108) containing an impurity element
(phosphorus) that imparts one conductive type are formed on a first
semiconductor film (104) having a crystalline structure. Gettering is
carried out in which the metal element contained in the first
semiconductor film (104) is allowed to pass through the barrier layer
(105) and the second semiconductor film (106) by a heat treatment to move
into the third semiconductor film (107). Afterward, the second and third
semiconductor films (106) and (107) are removed with the barrier layer
(105) used as an etching stopper.
Προορίζεται να επιτευχθεί η μείωση σε αριθμό των θερμικών επεξεργασιών που πραγματοποιούνται στην υψηλή θερμοκρασία (τουλάχιστον 600.degree. γ.) και η απασχόληση των διαδικασιών χαμηλότερης θερμοκρασίας (600.degree. Γ. ή χαμηλώνουν), και για να επιτύχουν την απλοποίηση βημάτων και τη βελτίωση ρυθμοαπόδοσης. Στην παρούσα εφεύρεση, ένα στρώμα εμποδίων (105), μια δεύτερη ταινία ημιαγωγών (106), και ένα τρίτο στρώμα ημιαγωγών (108) που περιλαμβάνει ένα στοιχείο ακαθαρσιών (φώσφορος) που μεταδίδει έναν αγώγιμο τύπο διαμορφώνεται σε μια πρώτη ταινία ημιαγωγών (104) που έχει μια κρυστάλλινη δομή. Gettering πραγματοποιείται στο οποίο το στοιχείο μετάλλων που περιλαμβάνεται στην πρώτη ταινία ημιαγωγών (104) επιτρέπεται για να περάσει μέσω του στρώματος εμποδίων (105) και της δεύτερης ταινίας ημιαγωγών (106) από μια θερμική επεξεργασία που κινείται στην τρίτη ταινία ημιαγωγών (107). Κατόπιν, οι δεύτερες και τρίτες ταινίες ημιαγωγών (106) και (107) αφαιρούνται με το στρώμα εμποδίων (105) που χρησιμοποιείται ως πώμα χαρακτικής.
