When a laser beam is radiated on a semiconductor film under appropriate
conditions, the semiconductor film can be crystallized into single
crystal-like grains connected in a scanning direction of the laser beam
(laser annealing). The most efficient laser annealing condition is
studied. When a length of one side of a rectangular substrate on which a
semiconductor film is formed is b, a scanning speed is V, and acceleration
necessary to attain the scanning speed V of the laser beam relative to the
substrate is g, and when V=(gb/5.477).sup.1/2 is satisfied, a time
necessary for the laser annealing is made shortest. The acceleration g is
made constant, however, when it is a function of time, a time-averaged
value thereof can be used in place of the constant.
Wenn ein Laserstrahl auf einem Halbleiterfilm unter passenden Bedingungen ausgestrahlt wird, kann der Halbleiterfilm in einzelnes Kristall-wie die Körner kristallisiert werden, die in einer Suchrichtung des Laserstrahles angeschlossen werden (Laser Ausglühen). Der leistungsfähigste Laser Ausglühenzustand wird studiert. Wenn eine Länge von einer Seite eines rechteckigen Substrates, auf dem ein Halbleiterfilm gebildet wird, b ist, ist eine Abtastgeschwindigkeit V, und die Beschleunigung, die notwendig ist, die Abtastgeschwindigkeit V des Laserstrahles im Verhältnis zu dem Substrat zu erreichen, ist g, und wenn V=(gb/5.477).sup.1/2 erfüllt ist, wird eine Zeit, die für das Laser Ausglühen notwendig ist, am kürzesten gebildet. Die Beschleunigung g wird Konstante gebildet, jedoch wenn es eine Funktion der Zeit ist, kann ein Zeit-Durchschnitt berechneter Wert anstatt der Konstante davon verwendet werden.
