A multiple-bit cell transistor includes a P type silicon substrate, agate
insulation layer, a pair of N type source/drain regions, a pair of tunnel
insulation layers, and a pair of floating gates. The silicon substrate is
formed with a projection while the floating gates each are positioned on
one of opposite side walls of the projection. Inter-polycrystalline
insulation layers each are formed on one of the floating gates. A control
gate faces the top of the projection via the gate insulation layer. An N
type region is formed on each side of the projection and contacts the
source/drain region adjoining it. The cell transistor lowers a required
write voltage, broadens a current window, and enhances resistance to
inter-band tunneling.
Транзистор клетки множественн-bita вклюает субстрат кремния типа п, слой изоляции агата, пару зон типа source/drain н, пару слоев изоляции тоннеля, и пару плавая стробов. Субстрат кремния сформирован с проекцией пока плавать стробирует каждое расположен на одну из противоположных бортовых стен проекции. Взаимо--polikristalliceska4 изоляция наслаивает каждое сформирована на одном из плавая стробов. Строб управления смотрит на верхнюю часть проекции через слой изоляции строба. Зона типа н сформирована на каждой стороне проекции и контактирует зону source/drain граничя ее. Транзистор клетки понижает необходим пишет напряжение тока, broadens в настоящее время окно, и увеличивает сопротивление к прокладывать тоннель взаимо--polosy.
