One aspect of the present invention relates to a system and method for
mitigating LER as it may occur on short wavelength photoresists. The
method involves forming a short wavelength photoresist over a substrate
having at least one dielectric layer formed thereon, exposing the
photoresist to a plasma selective to the photoresist to strengthen the
photoresist without substantially etching the at least one dielectric
layer, the plasma comprising hydrogen, helium and argon, and etching the
dielectric layer through openings of the strengthened photoresist with an
etchant selective to the at least one dielectric layer, whereby the
treated photoresist is substantially resistant to etching effects of the
etchant. The system includes a photoresist monitor system for monitoring
the plasma treatment to determine whether the photoresist has been
strengthened and for adjusting parameters associated with the plasma
treatment and for providing feedback to the plasma treatment system.
Una funzione di presente invenzione riguarda un sistema e un metodo per attenuare LER mentre può accadere sui photoresists corti di lunghezza d'onda. Il metodo coinvolge formare un photoresist corto di lunghezza d'onda sopra un substrato che fa almeno uno formare strato dielettrico su ciò, esponendo il photoresist ad un plasma selettivo al photoresist per rinforzare il photoresist senza sostanzialmente incidere il almeno uno strato all'acquaforte dielettrico, il plasma che contiene l'idrogeno, l'elio e l'argon ed incidente lo strato all'acquaforte dielettrico con le aperture del photoresist rinforzato con un selettivo etchant al almeno uno strato dielettrico, per cui il photoresist trattato è sostanzialmente resistente agli effetti acquaforte del etchant. Il sistema include un sistema del video del photoresist per il controllo del trattamento del plasma per determinare se il photoresist sia stato rinforzato e per la registrazione dei parametri connessi con il trattamento del plasma e per fornire le risposte al sistema di trattamento del plasma.
