When a current mirror circuit is composed of transistors that inevitably
form a parasitic photodiode between an epitaxial layer and a substrate
layer because of structure of an integrated circuit, a photocurrent
increases in proportional to an area of the epitaxial layer. Thus, the
area of the epitaxial layer is adjusted in accordance with a current ratio
of the current mirror, so as to allow the photocurrent to affect equally
on both input and output sides of the current mirror circuit, i.e., so as
to cancel the photocurrent. With this, in a current mirror circuit
provided in an integrated circuit, it is possible to eliminate the
influence of the photocurrent, without considerably increasing an element
area or taking special measures to shield light.
Cuando un circuito actual del espejo se compone de transistores esa inevitable forma un fotodiodo parásito entre una capa epitaxial y un substrato acode debido a la estructura de un circuito integrado, los aumentos photocurrent en proporcional a un área de la capa epitaxial. Así, el área de la capa epitaxial se ajusta de acuerdo con un cociente actual del espejo actual, para permitir que el photocurrent afecte igualmente en lados entrada y de la salida del circuito actual del espejo, es decir, para cancelar el photocurrent. Con esto, en un circuito actual del espejo proporcionado en un circuito integrado, es posible eliminar la influencia del photocurrent, sin considerablemente el aumento de un área del elemento o tomar medidas especiales de blindar la luz.
