A bipolar vertical transistor is formed in a silicon semiconductor
substrate which has an upper surface with STI regions formed therein
composed of a dielectric material formed in the substrate having inner
ends and top surfaces. A doped collector region is formed in the substrate
between a pair of the STI regions. A counterdoped intrinsic base region is
formed on the upper surface of the substrate between the pair of the STI
regions with a margin between the intrinsic base region and the pair of
STI regions, the intrinsic base region having edges. A doped emitter
region is formed above the intrinsic base region spaced away from the
edges. A shallow isolation extension region composed of a dielectric
material is next to the edges of the intrinsic base region formed in the
margin between the STI regions and the intrinsic base region. An extrinsic
base region covers the shallow isolation extension region and extends
partially over the intrinsic base region in mechanical and electrical
contact therewith, whereby the shallow isolation extension region reduces
the base-to-collector parasitic capacitance of the bipolar transistor.
Un transistore verticale bipolare è formato in un substrato a semiconduttore del silicone che ha una superficie superiore con le regioni di STI formate in ciò composte di materiale dielettrico formato nel substrato che ha le estremità interne e superfici superiori. Una regione di collettore verniciata è formata nel substrato fra un accoppiamento delle regioni di STI. A counterdoped la regione bassa intrinseca è formato sulla superficie superiore del substrato fra l'accoppiamento delle regioni di STI con un margine fra la regione bassa intrinseca e l'accoppiamento delle regioni di STI, la regione bassa intrinseca che ha bordi. Una regione verniciata dell'emettitore è formata sopra la regione bassa intrinseca distanziata via dai bordi. Una regione poco profonda di estensione di isolamento composta di materiale dielettrico è vicino ai bordi della regione bassa intrinseca formata nel margine fra le regioni di STI e la regione bassa intrinseca. Una regione bassa estrinseca riguarda la regione poco profonda di estensione di isolamento e si estende parzialmente sopra la regione bassa intrinseca in contatto meccanico ed elettrico di conseguenza, per cui la regione poco profonda di estensione di isolamento riduce la capacità parassita del base-$$$-COLLETTORE del transistore bipolare.
