In a solid-state image-sensing device, an electric signal output from a
photoelectric conversion circuit 100 is accumulated in a capacitor C1, and
then a MOS transistor T5 is turned on so that the voltage integrated by
the capacitor C1 is sampled in a MOS transistor T10. Thereafter, the
electric charge obtained through amplification performed by the MOS
transistor T10 flows into a capacitor C2, which performs integration so
that a voltage commensurate with the integral of the amount of incident
light appears at the capacitor C2.
В полупроводниковом изображени-vosprinima4 приспособлении, электрический выход сигнала от светоэлектрической цепи 100 преобразования аккумулирован в конденсаторе C1, и после этого транзистор T5 mos включен так, что напряжение тока интегрированное конденсатором C1 будет попробовано в транзисторе T10 mos. В дальнейшем, платы за електроэнергию полученный через амплификацию выполнил подачами транзистора T10 mos в конденсатор c2, который выполняет внедрение так, что напряжение тока соответствующее с интегралом количества света случая появится на конденсатор c2.
