A method of adhering a silicate layer to dielectric layer comprising the
following steps. A structure having an overlying dielectric layer formed
thereover is provided. An adhesion promoter layer is formed upon the
dielectric layer. The adhesion promoter layer including adhesion promotion
molecules. The dielectric layer and the adhesion promoter layer are
treated to a low-temperature treatment to bind at least some of the
adhesion promotion molecules to the dielectric layer. A silicate layer is
formed upon the low-temperature treated adhesion promoter layer. The
silicate layer and the low-temperature treated adhesion promoter layer are
treated to a high-temperature treatment to bind at least some of the
adhesion promotion molecules to the silicate layer whereby the silicate
layer is adhered to the dielectric layer.
Um método de aderir uma camada do silicato à camada dieléctrica que compreende as seguintes etapas. Uma estrutura que tem camada dieléctrica sobrejacente um thereover dado forma é fornecida. Uma camada do promoter da adesão é dada forma em cima da camada dieléctrica. A camada do promoter da adesão including moléculas do promotion da adesão. A camada dieléctrica e a camada do promoter da adesão são tratadas a um tratamento de baixa temperatura para ligar ao menos algumas das moléculas do promotion da adesão à camada dieléctrica. Uma camada do silicato é dada forma em cima da camada tratada de baixa temperatura do promoter da adesão. A camada do silicato e a camada tratada de baixa temperatura do promoter da adesão são tratadas a um tratamento de alta temperatura para ligar ao menos algumas das moléculas do promotion da adesão à camada do silicato por meio de que a camada do silicato é aderida à camada dieléctrica.
