Provided is a method of manufacturing a ferroelectric capacitor capable of
manufacturing a ferroelectric capacitor with lower unevenness on a
ferroelectric film surface, and thereby with excellent electric
characteristics. By sputtering method, a PZT film is formed on a first
conductive film, which constitutes a lower electrode of the ferroelectric
capacitor. Thereafter, the PZT film is subjected to crystallization
treatment (annealing). Next, a silicate solution is coated on the PZT film
as a sintering assistance and then dried. Subsequently, sintering
treatment is performed at the temperature of about 700.degree. C. In this
way, crystals constituting the PZT film are sintered, unevenness on the
surface of PZT film is reduced, and tiny pores in grain boundaries are
also reduced.
Con tal que sea un método de fabricar un condensador ferroelectric capaz de fabricar un condensador ferroelectric con una desigualdad más baja en una superficie ferroelectric de la película, y de tal modo con características eléctricas excelentes. Por método de la farfulla, una película de PZT es formada en una primera película conductora, que constituye un electrodo más bajo del condensador ferroelectric. Después de eso, la película de PZT se sujeta al tratamiento de la cristalización (recocido). Después, una solución del silicato está revestida en la película de PZT como una ayuda de la sinterización y entonces secado. Posteriormente, el tratamiento de la sinterización se realiza en la temperatura alrededor de 700.degree. C. De esta manera, los cristales que constituyen la película de PZT se sinterizan, la desigualdad en la superficie de la película de PZT se reduce, y los poros minúsculos en límites de grano también se reducen.
