Process for photopolymerization of photosensitive lithographic printing plate

   
   

A photopolymerization process is disclosed, which comprises exposing a photosensitive lithographic printing plate containing at least one of sensitizing dyes represented by the following general formula (I) to laser beam having a wavelength of not greater than 450 nm: ##STR1## wherein T represents OR, SR, N(R).sub.2 or SO.sub.2 R and at least one T is present in the ortho or para position of the vinyl group, with the proviso that when the site at which Y is connected to the phenyl ring is an oxygen atom, sulfur atom or nitrogen atom, T may not be present; X represents an oxygen atom, sulfur atom or NR; Y represents a nonmetallic atom group which forms a ring with the adjacent carbon atoms; and R's each represent a hydrogen atom or nonmetallic atom group and may be connected to each other.

Een photopolymerizationproces wordt onthuld, dat uit het blootstellen van een fotogevoelige lithografische drukplaat bestaat die minstens één van het gevoelig maken van kleurstoffen bevat die door de volgende algemene formule (I) worden vertegenwoordigd aan laserstraal die een golflengte van niet groter heeft dan 450 NM: ## STR1 ## waarin T OF vertegenwoordigt, SR, N(R).sub.2 of SO.sub.2 R en minstens één T zijn aanwezig in de ortho of paragraafpositie van de vinylgroep, op voorwaarde dat wanneer de plaats waarbij Y met de phenyl ring wordt verbonden een zuurstofatoom, zwavelatoom of stikstofatoom is, T kunnen niet aanwezig zijn; X vertegenwoordigt een zuurstofatoom, zwavelatoom of NR; Y vertegenwoordigt een niet-metalen atoomgroep die een ring met de aangrenzende koolstofatomen vormt; en elk van R vertegenwoordigt een waterstofatoom of een niet-metalen atoomgroep en kan met elkaar worden verbonden.

 
Web www.patentalert.com

< Method of manufacturing a dielectric waveguide

< Guanidinopyrimidinone compounds and phase change inks containing same

> Method of manufacturing ferroelectric capacitor using a sintering assistance film

> Evaporation of Y-Si-O films for medium-k dielectrics

~ 00142