A gate oxide and method of fabricating a gate oxide that produces a more
reliable and thinner equivalent oxide thickness than conventional
SiO.sub.2 gate oxides are provided. Gate oxides formed from yttrium,
silicon, and oxygen are thermodynamically stable such that the gate oxides
formed will have minimal reactions with a silicon substrate or other
structures during any later high temperature processing stages. The
process shown is performed at lower temperatures than the prior art, which
inhibits unwanted species migration and unwanted reactions with the
silicon substrate or other structures. Using a thermal evaporation
technique to deposit the layer to be oxidized, the underlying substrate
surface smoothness is preserved, thus providing improved and more
consistent electrical properties in the resulting gate oxide.
Обеспечены окись строба и метод изготовлять окись строба производит надежное и толщину окиси растворителя соответствующую чем обычные окиси строба SiO.sub.2. Окиси строба сформированные от иттрия, кремния, и кислорода будут термодинамически конюшней такие что сформированные окиси строба будут иметь минимальные реакции с субстратом кремния или другими структурами во время любых этапов более последней высокой температуры обрабатывая. Показанный процесс выполнен на более низких температурах чем прежнее искусствоо, которое блокирует излишнее переселение вида и излишние реакции с субстратом кремния или другими структурами. Использующ термально метод испарения для того чтобы депозировать слой, котор нужно окислить, сохранена основная гладкость поверхности субстрата, свойства таким образом обеспечивать улучшенные и более последовательные электрические в приводя к окиси строба.
